星曜半导体重磅发布三款5G n77/n78 L-PAMiF及L-FEM全自研芯片,迈上射频模组新台阶
4G LTE 通信时代,射频前端分立方案与模组方案并存。其中,采用模组方案的射频前端,具备更高的集成度和更优的性能,主要应用于高端手机,而采用分立方案虽能满足需求,但性能中等,主要应用于中低端手机。伴随5G通信到来,由于射频前端器件的数量大幅上升,分立方案无法满足小型化要求,且采用分立方案将带来较长的终端调试周期以及更高调试成本。因此,5G手机中射频前端的模组化趋势更加明显,L-PAMiF、L-PAMiD等模组在发射通路得到广泛应用。射频前端模组化趋势对厂商提出更高要求,既要求射频前端公司拥有更强芯片设计能力,尽可能覆盖各类型器件(滤波器、PA、开关、LNA等),提升模组一致性和可靠性;同时,需要射频前端厂商具备较强的集成化模组设计能力和良好的SiP封装工艺积累,提高集成度和良率,从而提升射频前端的整体性能。射频前端趋于高集成化、小型化,同样的,相应接收通路也逐渐被 DiFEM 和 L-FEM 等模组产品替代。
芯品发布
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本次星曜半导体针对 5G 应用重磅发布三款模组芯片产品:支持 n77/n78 频段 (3300MHz~4200MHz) 的 1T2R L-PAMiF 发射模组芯片 STR51277-11、STR51277-21,以及支持相应频段的 2R L-FEM 接收模组芯片 STR31277-11。
n77 L-PAMiF
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产品特征
1. 支持 UHB n77/n78 频段一路发射,两路接收,支持高通、 MTK等平台
2. 内置 3 颗高性能 n77 滤波器,高抑制度滤波器性能可支持 B3_n78 等 EN-DC 组合应用
3. TRX 差异化的设计可最小化 TX 链路 loss ,提升谐波抑制能力
4. 内置复杂的SRS开关切换功能 (SRS IN/OUT Port, 2 Output Ports), 与接收模组配合使用,可实现 n77/n78 1T4R SRS 轮发功能
5. 支持 AUX TRX 口拓展以及 MIMO 天线的共享,满足客户高集成需 求,并在两路 n77 接收通路实现高隔离度,保证 MIMO 接收性能
6. *支持 3.4V 低压 PC2 大功率轮发,无需额外升压电源,节省 Boost DC-DC 芯片的使用,简化电源方案设计,降低用户使用成本
7. 内置高性能 Coupler,兼顾低插损和优异的方向性
8. 集成 VCC cap switch 功能
9. 全倒装的工艺设计,带来更好的模组散热能力,减小打线方案 带来的寄生以及耦合问题
* 仅STR51277-21芯片支持该功能
n77 L-FEM
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产品特征
1. 支持 UHB n77/n78 频段两路接收
2. 内置 2 颗高性能 n77/n78 滤波器
3. 高抑制度滤波器性能可支持 B3_n78 等 EN-DC 组合应用
4. 内置复杂的SRS开关切换功能(SRS IN/OUT Port, 2 Output Ports), 与发射模组配合使用,可实现 n77/n78 1T4R SRS 轮发的功能
本次发布的应用于 n77/n78 频段 L-PAMiF 和 L-FEM 是星曜半导体射频模组产品线征程中的又一重要里程碑。本次模组芯片的推出,充分体现了星曜半导体在射频模组上卓越的自主研发能力和创新力,对未来更多的射频前端模组产品具有非常关键的长期意义。星曜半导体专注于射频前端滤波器和模组芯片的设计研发,具备全套射频前端芯片设计能力和集成化模组研发能力,产品已完全覆盖主流通信频段,广泛应用于智能手机与物联网等领域,已导入三星手机/平板,以及华为、oppo、荣耀等手机品牌客户。星曜已全面布局对标国际先进企业的 5G 高集成度射频前端模组产品,有望把握 5G 射频前端模组国产化机遇,不断完善 L-PAMiD、L-PAMiF 等高集成发射模组以及 L-FEM、DiFEM 等高集成接收模组的产品布局,未来,将继续致力于开发更高性能、更具竞争力的射频前端芯片,持续发布射频前端的各类接收模组、发射模组,助力国产射频前端解决方案的长足发展。